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作者：黄如
出版社：
出版日期：2005年10月
译者：
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ISBN：703015968 |
| 开本：16开 |
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装帧： |
原价：
48 元 |
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| | 三星会员：41.74 元 |
二星：42.64 元 |
一星：43.53 元 |
普通：44.88 元 |
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本书从材料、器件、工艺和电路角度系统地介绍SOI CMOS技术。全书共分8章，从SOI材料的主要制备技术以及表征技术开始，详细分析和阐述SOI MOS器件的主要基本特性和物理效应，包括浮体效应、短沟效应、窄沟效应、边缘效应、热载流子效应、自加热效应以及器件的瞬态特性、噪声特性和抗辐射特性等；然后从定量分析的角度介绍器件的理论模型；介绍SOI CMOS工艺制备技术以及一些很有潜力的新型SOI器件；最后重点介绍SOI CMOS电路应用，包括SOI微处理器电路、数模混合信号电路、射频集成电路、存储器电路以及高温高压SOI电路等。本书取材新颖，涵盖了SOI CMOS技术的基本知识和最新进展。
本书可作为微电子专业的研究生和高年级本科生以及专业技术人员的重要参考书，也可以作为信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员的重要参考资料。
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第1章 绪论1
1.1 硅集成电路技术发展概况及存在的问题1
1.2 SOI技术的特点与优势3
1.3 SOI技术存在的问题5
1.4 SOI技术发展的现状与展望6
1.5 本书的章节安排8
参考文献9
第2章 SOI材料制备技术11
2.1 SOI材料的特点及技术分类11
2.2 注入隔离技术14
2.2.1SIMOX技术15
2.2.2注氮隔离技术和注氧、氮隔离技术18
2.2.3SIMOX SOI材料的模型与模拟18
2.2.4改进SIMOX材料质量的途径26
2.2.5注氧离子注入机31
2.2.6等离子体浸没离子注入技术(PIII)31
2.3硅片键合SOI技术（BSOI）35
2.3.1硅-硅键合机理36
2.3.2硅-硅直接键合的相关问题37
2.3.3硅-硅直接键合工艺的表征技术40
2.3.4硅-硅直接键合的减薄技术42
2.4智能剥离技术43
2.4.1智能剥离技术中的离子注入44
2.4.2智能剥离技术键合前的表面处理47更多>>
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